Os bicos de revestimento CVD SiC da Vetek Semiconductor são componentes cruciais usados no processo de epitaxia LPE SiC para depositar materiais de carboneto de silício durante a fabricação de semicondutores. Esses bicos são normalmente feitos de material de carboneto de silício quimicamente estável e de alta temperatura para garantir estabilidade em ambientes de processamento severos. Projetados para deposição uniforme, eles desempenham um papel fundamental no controle da qualidade e uniformidade das camadas epitaxiais cultivadas em aplicações de semicondutores. Estamos ansiosos para estabelecer uma cooperação de longo prazo com você.
VeTek Semiconductor é um fabricante especializado de acessórios de revestimento CVD SiC para dispositivos epitaxiais, como peças de meia lua de revestimento CVD SiC e seus acessórios bicos de revestimento CVD SiC.
PE1O8 é um sistema totalmente automático de cartuchos para cartuchos projetado para lidar comBolachas de SiCaté 200 mm. O formato pode ser alternado entre 150 e 200 mm, minimizando o tempo de inatividade da ferramenta. A redução dos estágios de aquecimento aumenta a produtividade, enquanto a automação reduz a mão de obra e melhora a qualidade e a repetibilidade. Para garantir um processo de epitaxia eficiente e competitivo em termos de custos, são relatados três fatores principais:
● processo rápido;
● alta uniformidade de espessura e dopagem;
● minimização da formação de defeitos durante o processo de epitaxia.
No PE1O8, a pequena massa de grafite e o sistema automático de carga/descarga permitem que uma execução padrão seja concluída em menos de 75 minutos (a formulação padrão do diodo Schottky de 10 μm usa uma taxa de crescimento de 30 μm/h). Sistema automático permite carga/descarga em altas temperaturas. Como resultado, os tempos de aquecimento e resfriamento são curtos, enquanto a etapa de cozimento foi inibida. Esta condição ideal permite o crescimento de verdadeiros materiais não dopados.
No processo de epitaxia de carboneto de silício, os bicos de revestimento CVD SiC desempenham um papel crucial no crescimento e na qualidade das camadas epitaxiais. Aqui está a explicação ampliada do papel dos bicos naepitaxia de carboneto de silício:
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● Fornecimento e controle de gás: Bicos são usados para fornecer a mistura de gases necessária durante a epitaxia, incluindo gás fonte de silício e gás fonte de carbono. Através dos bicos, o fluxo e as proporções do gás podem ser controlados com precisão para garantir o crescimento uniforme da camada epitaxial e a composição química desejada.
● Controle de temperatura: Os bicos também ajudam no controle da temperatura dentro do reator epitaxia. Na epitaxia de carboneto de silício, a temperatura é um fator crítico que afeta a taxa de crescimento e a qualidade do cristal. Ao fornecer calor ou gás de resfriamento através dos bicos, a temperatura de crescimento da camada epitaxial pode ser ajustada para condições ideais de crescimento.
● Distribuição de Fluxo de Gás: O design dos bicos influencia a distribuição uniforme do gás dentro do reator. A distribuição uniforme do fluxo de gás garante a uniformidade da camada epitaxial e espessura consistente, evitando problemas relacionados à não uniformidade da qualidade do material.
● Prevenção de contaminação por impurezas: O projeto e o uso adequados de bicos podem ajudar a prevenir a contaminação por impurezas durante o processo de epitaxia. O design adequado do bico minimiza a probabilidade de entrada de impurezas externas no reator, garantindo a pureza e a qualidade da camada epitaxial.
Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC | |
Propriedade | Valor típico |
Estrutura Cristalina | FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111) |
Densidade do revestimento SiC | 3,21g/cm³ |
Dureza | Dureza Vickers 2500 (carga de 500g) |
Tamanho do grão | 2~10μm |
Pureza Química | 99,99995% |
Capacidade de calor | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura de sublimação | 2700°C |
Resistência à Flexão | 415 MPa RT de 4 pontos |
Módulo de Young | Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
Condutividade Térmica | 300W·m-1·K-1 |
Expansão Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |