Bocal de revestimento CVD SiC
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Bocal de revestimento CVD SiC

Os bicos de revestimento CVD SiC da Vetek Semiconductor são componentes cruciais usados ​​no processo de epitaxia LPE SiC para depositar materiais de carboneto de silício durante a fabricação de semicondutores. Esses bicos são normalmente feitos de material de carboneto de silício quimicamente estável e de alta temperatura para garantir estabilidade em ambientes de processamento severos. Projetados para deposição uniforme, eles desempenham um papel fundamental no controle da qualidade e uniformidade das camadas epitaxiais cultivadas em aplicações de semicondutores. Estamos ansiosos para estabelecer uma cooperação de longo prazo com você.

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Descrição do produto

VeTek Semiconductor é um fabricante especializado de acessórios de revestimento CVD SiC para dispositivos epitaxiais, como peças de meia lua de revestimento CVD SiC e seus acessórios bicos de revestimento CVD SiC.


PE1O8 é um sistema totalmente automático de cartuchos para cartuchos projetado para lidar comBolachas de SiCaté 200 mm. O formato pode ser alternado entre 150 e 200 mm, minimizando o tempo de inatividade da ferramenta. A redução dos estágios de aquecimento aumenta a produtividade, enquanto a automação reduz a mão de obra e melhora a qualidade e a repetibilidade. Para garantir um processo de epitaxia eficiente e competitivo em termos de custos, são relatados três fatores principais: 


●  processo rápido;

●  alta uniformidade de espessura e dopagem;

●  minimização da formação de defeitos durante o processo de epitaxia. 


No PE1O8, a pequena massa de grafite e o sistema automático de carga/descarga permitem que uma execução padrão seja concluída em menos de 75 minutos (a formulação padrão do diodo Schottky de 10 μm usa uma taxa de crescimento de 30 μm/h). Sistema automático permite carga/descarga em altas temperaturas. Como resultado, os tempos de aquecimento e resfriamento são curtos, enquanto a etapa de cozimento foi inibida. Esta condição ideal permite o crescimento de verdadeiros materiais não dopados.


No processo de epitaxia de carboneto de silício, os bicos de revestimento CVD SiC desempenham um papel crucial no crescimento e na qualidade das camadas epitaxiais. Aqui está a explicação ampliada do papel dos bicos naepitaxia de carboneto de silício:


CVD SiC Coating Nozzle working diagram

● Fornecimento e controle de gás: Bicos são usados ​​para fornecer a mistura de gases necessária durante a epitaxia, incluindo gás fonte de silício e gás fonte de carbono. Através dos bicos, o fluxo e as proporções do gás podem ser controlados com precisão para garantir o crescimento uniforme da camada epitaxial e a composição química desejada.


● Controle de temperatura: Os bicos também ajudam no controle da temperatura dentro do reator epitaxia. Na epitaxia de carboneto de silício, a temperatura é um fator crítico que afeta a taxa de crescimento e a qualidade do cristal. Ao fornecer calor ou gás de resfriamento através dos bicos, a temperatura de crescimento da camada epitaxial pode ser ajustada para condições ideais de crescimento.


● Distribuição de Fluxo de Gás: O design dos bicos influencia a distribuição uniforme do gás dentro do reator. A distribuição uniforme do fluxo de gás garante a uniformidade da camada epitaxial e espessura consistente, evitando problemas relacionados à não uniformidade da qualidade do material.


● Prevenção de contaminação por impurezas: O projeto e o uso adequados de bicos podem ajudar a prevenir a contaminação por impurezas durante o processo de epitaxia. O design adequado do bico minimiza a probabilidade de entrada de impurezas externas no reator, garantindo a pureza e a qualidade da camada epitaxial.


ESTRUTURA DE CRISTAL DO FILME DE REVESTIMENTO CVD SIC:


CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade Valor típico
Estrutura Cristalina FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade do revestimento SiC 3,21g/cm³
Dureza Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão 2~10μm
Pureza Química 99,99995%
Capacidade de calor 640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimação 2700°C
Resistência à Flexão 415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica 300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE) 4,5×10-6K-1


VeTekSemBicos de revestimento CVD SiCLojas de produção:


Graphite epitaxial substrateSemiconductor EquipmentGraphite ring assemblySemiconductor process equipment

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