Bocal de revestimento CVD SiC

VeTek Semiconductor é um fabricante especializado de acessórios de revestimento CVD SiC para dispositivos epitaxiais, como peças de meia lua de revestimento CVD SiC e seus acessórios bicos de revestimento CVD SiC.

PE1O8 é um sistema de cartuchos para cartuchos totalmente automático projetado para lidar com wafers de SiC de até 200 mm. O formato pode ser alternado entre 150 e 200 mm, minimizando o tempo de inatividade da ferramenta. A redução dos estágios de aquecimento aumenta a produtividade, enquanto a automação reduz a mão de obra e melhora a qualidade e a repetibilidade. Para garantir um processo de epitaxia eficiente e econômico, três fatores principais são relatados: 1) processo rápido, 2) alta uniformidade de espessura e dopagem e 3) minimização da formação de defeitos durante o processo de epitaxia. No PE1O8, a pequena massa de grafite e o sistema automático de carga/descarga permitem que uma execução padrão seja concluída em menos de 75 minutos (a formulação padrão do diodo Schottky de 10 μm usa uma taxa de crescimento de 30 μm/h). Sistema automático permite carga/descarga em altas temperaturas. Como resultado, os tempos de aquecimento e resfriamento são curtos, enquanto a etapa de cozimento foi inibida. Esta condição ideal permite o crescimento de verdadeiros materiais não dopados.

No processo de epitaxia de carboneto de silício, os bicos de revestimento CVD SiC desempenham um papel crucial no crescimento e na qualidade das camadas epitaxiais. Aqui está a explicação ampliada do papel dos bicos na epitaxia de carboneto de silício:

Fornecimento e controle de gás: Bicos são usados ​​para fornecer a mistura de gás necessária durante a epitaxia, incluindo gás fonte de silício e gás fonte de carbono. Através dos bicos, o fluxo e as proporções do gás podem ser controlados com precisão para garantir o crescimento uniforme da camada epitaxial e a composição química desejada.

Controle de temperatura: Os bicos também ajudam no controle da temperatura dentro do reator epitaxia. Na epitaxia de carboneto de silício, a temperatura é um fator crítico que afeta a taxa de crescimento e a qualidade do cristal. Ao fornecer calor ou gás de resfriamento através dos bicos, a temperatura de crescimento da camada epitaxial pode ser ajustada para condições ideais de crescimento.

Distribuição do fluxo de gás: O design dos bicos influencia a distribuição uniforme do gás dentro do reator. A distribuição uniforme do fluxo de gás garante a uniformidade da camada epitaxial e espessura consistente, evitando problemas relacionados à não uniformidade da qualidade do material.

Prevenção da Contaminação por Impurezas: O design e uso adequados dos bicos podem ajudar a prevenir a contaminação por impurezas durante o processo de epitaxia. O design adequado do bico minimiza a probabilidade de entrada de impurezas externas no reator, garantindo a pureza e a qualidade da camada epitaxial.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Lojas de produção:

Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores: