Susceptor de grafite epitaxial GaN para G5

VeTek Semiconductor é um fabricante e fornecedor profissional de susceptor de grafite epitaxial de GaN na China para G5. O susceptor de grafite epitaxial GaN para G5 é um componente crítico usado no sistema de deposição de vapor químico metal-orgânico (MOCVD) Aixtron G5 para o crescimento de filmes finos de nitreto de gálio (GaN) de alta qualidade, desempenha um papel crucial na garantia de temperatura uniforme distribuição, transferência de calor eficiente e contaminação mínima durante o processo de crescimento.

Principais características do susceptor de grafite epitaxial VeTek Semiconductor GaN para G5:

-Alta pureza: O susceptor é feito de grafite altamente pura com revestimento CVD, minimizando a contaminação dos filmes de GaN em crescimento.

-Excelente condutividade térmica: A alta condutividade térmica do grafite (150-300 W/(m·K)) garante distribuição uniforme de temperatura em todo o susceptor, levando ao crescimento consistente do filme GaN.

-Baixa expansão térmica: O baixo coeficiente de expansão térmica do susceptor minimiza o estresse térmico e as rachaduras durante o processo de crescimento em alta temperatura.

-Inércia química: A grafite é quimicamente inerte e não reage com os precursores de GaN, evitando impurezas indesejadas nos filmes cultivados.

-Compatibilidade com Aixtron G5: O susceptor foi projetado especificamente para uso no sistema Aixtron G5 MOCVD, garantindo ajuste e funcionalidade adequados.

Formulários:

LEDs de alto brilho: Os LEDs baseados em GaN oferecem alta eficiência e longa vida útil, tornando-os ideais para iluminação geral, iluminação automotiva e aplicações de exibição.

Transistores de alta potência: Os transistores GaN oferecem desempenho superior em termos de densidade de potência, eficiência e velocidade de comutação, tornando-os adequados para aplicações de eletrônica de potência.

Diodos laser: Os diodos laser baseados em GaN oferecem alta eficiência e comprimentos de onda curtos, tornando-os ideais para armazenamento óptico e aplicações de comunicação.

Parâmetro do produto do susceptor de grafite epitaxial GaN para G5

Nota: Antes do revestimento, faremos a primeira purificação, após o revestimento, faremos a segunda purificação.

Oficina de produção de semicondutores VeTek