A Vetek Semiconductor se destaca na colaboração estreita com os clientes para criar projetos sob medida para o anel de entrada de revestimento de SiC, adaptados às necessidades específicas. Este anel de entrada de revestimento SiC são meticulosamente projetados para diversas aplicações, como equipamentos CVD SiC e epitaxia de carboneto de silício. Para soluções personalizadas de anel de entrada de revestimento de SiC, não hesite em entrar em contato com a Vetek Semiconductor para obter assistência personalizada.
O anel de entrada de revestimento SiC de alta qualidade é oferecido pelo fabricante chinês Vetek Semiconductor. Compre o anel de entrada de revestimento SiC, que é de alta qualidade diretamente com preço baixo.
A Vetek Semiconductor é especializada no fornecimento de equipamentos de produção avançados e competitivos, feitos sob medida para a indústria de semicondutores, com foco em componentes de grafite revestidos com SiC, como o anel de entrada de revestimento de SiC para sistemas SiC-CVD de terceira geração. Esses sistemas facilitam o crescimento de camadas epitaxiais uniformes de cristal único em substratos de carboneto de silício, essenciais para a fabricação de dispositivos de energia como diodos Schottky, IGBTs, MOSFETs e vários componentes eletrônicos.
O equipamento SiC-CVD combina processos e equipamentos perfeitamente, oferecendo vantagens notáveis em alta capacidade de produção, compatibilidade com wafers de 6/8 polegadas, eficiência de custos, controle de crescimento automático contínuo em vários fornos, baixas taxas de defeitos e manutenção conveniente e confiabilidade através da temperatura e projetos de controle de campo de fluxo. Quando combinado com nosso anel de entrada de revestimento de SiC, ele aumenta a produtividade do equipamento, prolonga a vida útil operacional e gerencia custos de maneira eficaz.
O anel de entrada de revestimento SiC da Vetek Semiconductor é caracterizado por alta pureza, propriedades estáveis de grafite, processamento preciso e o benefício adicional do revestimento CVD SiC. A estabilidade em altas temperaturas dos revestimentos de carboneto de silício protege os substratos do calor e da corrosão química em ambientes extremos. Esses revestimentos também oferecem alta dureza e resistência ao desgaste, garantindo maior vida útil do substrato, resistência à corrosão contra vários produtos químicos, baixos coeficientes de atrito para perdas reduzidas e melhor condutividade térmica para dissipação de calor eficiente. No geral, os revestimentos de carboneto de silício CVD fornecem proteção abrangente, prolongando a vida útil do substrato e melhorando o desempenho.
Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC | |
Propriedade | Valor típico |
Estrutura Cristalina | FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111) |
Densidade | 3,21g/cm³ |
Dureza | Dureza Vickers 2500 (carga de 500g) |
Tamanho do grão | 2~10μm |
Pureza Química | 99,99995% |
Capacidade de calor | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura de Sublimação | 2700 ℃ |
Resistência à Flexão | 415 MPa RT de 4 pontos |
Módulo de Young | Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
Condutividade Térmica | 300W·m-1·K-1 |
Expansão Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |