Protetor de revestimento CVD SiC

A Vetek Semiconductor fornece protetor de revestimento CVD SiC usado como epitaxia LPE SiC. O termo "LPE" geralmente se refere a epitaxia de baixa pressão (LPE) em deposição de vapor químico de baixa pressão (LPCVD). Na fabricação de semicondutores, o LPE é uma importante tecnologia de processo para o cultivo de filmes finos de cristal único, frequentemente usado para o crescimento de camadas epitaxiais de silício ou outras camadas epitaxiais de semicondutores.

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Descrição do produto

O protetor de revestimento CVD SiC de alta qualidade é oferecido pelo fabricante chinês Vetek Semiconductor. Compre protetor de revestimento CVD SiC que é de alta qualidade diretamente com preço baixo.

A epitaxia LPE SiC refere-se ao uso da tecnologia de epitaxia de baixa pressão (LPE) para cultivar camadas de epitaxia de carboneto de silício em substratos de carboneto de silício. O SiC é um excelente material semicondutor, com alta condutividade térmica, alta tensão de ruptura, alta velocidade de deriva de elétrons saturados e outras excelentes propriedades, sendo frequentemente usado na fabricação de dispositivos eletrônicos de alta temperatura, alta frequência e alta potência.

A epitaxia LPE SiC é uma técnica de crescimento comumente usada que utiliza os princípios da deposição química de vapor (CVD) para depositar um material de carboneto de silício em um substrato para formar a estrutura cristalina desejada sob as condições corretas de temperatura, atmosfera e pressão. Esta técnica de epitaxia pode controlar a correspondência da rede, a espessura e o tipo de dopagem da camada epitaxia, afetando assim o desempenho do dispositivo.

Os benefícios da epitaxia LPE SiC incluem:

Alta qualidade de cristal: O LPE pode produzir cristais de alta qualidade em altas temperaturas.

Controle dos parâmetros da camada epitaxial: A espessura, dopagem e correspondência de rede da camada epitaxial podem ser controladas com precisão para atender aos requisitos de um dispositivo específico.

Adequado para dispositivos específicos: As camadas epitaxiais de SiC são adequadas para a fabricação de dispositivos semicondutores com requisitos especiais, como dispositivos de energia, dispositivos de alta frequência e dispositivos de alta temperatura.

Na epitaxia LPE SiC, um produto típico são as partes em meia-lua. O protetor de revestimento CVD SiC a montante e a jusante, montado na segunda metade das peças em meia-lua, é conectado a um tubo de quartzo, que pode passar gás para acionar a base da bandeja para girar e controlar a temperatura. É uma parte importante da epitaxia de carboneto de silício.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade	Valor típico
Estrutura Cristalina	FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de Sublimação	2700°C
Resistência à Flexão	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica	300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1