Anel de revestimento CVD TaC
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Anel de revestimento CVD TaC

O anel de revestimento CVD TaC da VeTek Semiconductor é um componente altamente vantajoso projetado para atender aos exigentes requisitos dos processos de crescimento de cristal de carboneto de silício (SiC). O anel de revestimento CVD TaC oferece excelente resistência a altas temperaturas e inércia química, tornando-o uma escolha ideal para ambientes caracterizados por temperaturas elevadas e condições corrosivas. Estamos comprometidos em fornecer produtos de qualidade a preços competitivos e esperamos ser seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

O anel de revestimento CVD TaC da VeTek Semiconductor é um componente crítico para o crescimento bem-sucedido de um único cristal de carboneto de silício. Com sua resistência a altas temperaturas, inércia química e desempenho superior, garante a produção de cristais de alta qualidade com resultados consistentes. Confie em nossas soluções inovadoras para elevar seus processos de crescimento de cristais de SiC pelo método PVT e alcançar resultados excepcionais.

Durante o crescimento de monocristais de carboneto de silício, o anel de revestimento CVD TaC desempenha um papel crucial na garantia de resultados ideais. Suas dimensões precisas e revestimento TaC de alta qualidade permitem distribuição uniforme de temperatura, minimizando o estresse térmico e promovendo a qualidade do cristal. A condutividade térmica superior do revestimento TaC facilita a dissipação eficiente de calor, contribuindo para melhores taxas de crescimento e melhores características do cristal. Sua construção robusta e excelente estabilidade térmica garantem desempenho confiável e vida útil prolongada, reduzindo a necessidade de substituições frequentes e minimizando o tempo de inatividade da produção.

A inércia química do anel de revestimento CVD TaC é essencial na prevenção de reações indesejadas e contaminação durante o processo de crescimento do cristal de SiC. Fornece uma barreira protetora, mantendo a integridade do cristal e minimizando impurezas. Isso contribui para a produção de monocristais de alta qualidade e sem defeitos, com excelentes propriedades elétricas e ópticas.

Além de seu desempenho excepcional, o anel de revestimento CVD TaC foi projetado para fácil instalação e manutenção. Sua compatibilidade com equipamentos existentes e integração perfeita garantem uma operação simplificada e maior produtividade.

Conte com a VeTek Semiconductor e nosso anel de revestimento CVD TaC para desempenho confiável e eficiente, posicionando você na vanguarda da tecnologia de crescimento de cristal SiC.


Crescimento de cristal SiC do método PVT:


Forno de crescimento de cristal SiC:


Especificação do anel de revestimento CVD TaC:

Propriedades físicas do revestimento TaC
Densidade 14,3 (g/cm³)
Emissividade específica 0.3
Coeficiente de expansão térmica 6,3 10-6/K
Dureza (HK) 2.000 Hong Kong
Resistência 1×10-5 Ohm*cm
Estabilidade térmica <2500℃
Mudanças no tamanho do grafite -10~-20um
Espessura do revestimento ≥20um valor típico (35um±10um)


Cadeia Industrial:


Oficina de produção


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