VeTek Semiconductor é um fabricante líder e inovador de transportador de wafer de grafite revestido com TaC na China. Somos especializados em revestimento de SiC e TaC há muitos anos. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.
Você pode ter a certeza de comprar um transportador de wafer de grafite revestido com TaC personalizado da VeTek Semiconductor. Estamos ansiosos para cooperar com você, se quiser saber mais, pode nos consultar agora, responderemos a tempo!
VeTek Semiconductor TaC Coated Graphite Wafer Carrier interage diretamente com wafers no reator epitaxy, aumentando a eficiência e o desempenho. Com a opção de revestimento de carboneto de silício ou carboneto de tântalo, o transportador de wafer de grafite revestido com TaC da VeTek Semiconductor oferece vida útil prolongada, até 2 a 3 vezes mais longa com carboneto de tântalo. Compatível com vários modelos de máquinas, incluindo fornos epitaxiais LPE SiC, JSG, fornos epitaxiais NASO.
O transportador de grafite revestido com TaC da VeTek Semiconductor garante estequiometria de reação precisa, evita a migração de impurezas e mantém a estabilidade de temperatura além de 2.000°C. Apresenta notável resistência a H2, NH3, SiH4 e Si, protegendo contra ambientes químicos agressivos. Resistindo a choques térmicos, permite ciclos operacionais rápidos sem delaminação do revestimento.
O revestimento VeTek Semiconductor TaC garante pureza ultra-alta, elimina impurezas e garante cobertura conformada atendendo a tolerâncias dimensionais rigorosas. Com os recursos avançados de processamento de grafite da VeTek Semiconductor, estamos equipados para atender às suas necessidades de personalização. Quer você precise de serviços de revestimento ou soluções abrangentes, nossa equipe de engenheiros especializados está pronta para projetar a solução perfeita para suas aplicações específicas. Confie em nós para fornecer produtos de alta qualidade adaptados às suas necessidades e expectativas.
Propriedades físicas do revestimento TaC | |
Densidade | 14,3 (g/cm³) |
Emissividade específica | 0.3 |
Coeficiente de expansão térmica | 6,3 10-6/K |
Dureza (HK) | 2.000 Hong Kong |
Resistência | 1×10-5 Ohm*cm |
Estabilidade térmica | <2500℃ |
Mudanças no tamanho do grafite | -10~-20um |
Espessura do revestimento | ≥20um valor típico (35um±10um) |