Anel Guia Revestido TaC
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Anel Guia Revestido TaC

VeTek Semiconductor é um fabricante líder e inovador de anel guia revestido de TaC na China. Somos especializados em revestimento cerâmico há muitos anos. Bem-vindo ao nos consultar para obter mais informações.

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Descrição do produto

O anel guia revestido com TaC de alta qualidade é oferecido pelo fabricante chinês VeTek Semiconductor. Compre o anel guia revestido TaC, que é de alta qualidade diretamente com preço baixo.


Desempenho e recursos do anel guia revestido VeTek Semiconductor TaC:

Resistência a altas temperaturas, alta densidade e alta compactação; excelente resistência à corrosão.

Alta pureza com teor de impurezas <5PPM.

Quimicamente inerte aos gases amônia e hidrogênio em altas temperaturas; excelente estabilidade térmica.


Desempenho e recursos do anel guia revestido VeTek Semiconductor TaC:

Crescimento cristalino.

Reatores epitaxiais de carboneto de silício.

Lâminas de turbina a gás.

Bicos resistentes a altas temperaturas e oxidação.


Descrição do produto:

O revestimento TaC é um material de alta temperatura de última geração que apresenta estabilidade térmica superior em comparação ao SiC. Serve como um revestimento resistente à corrosão, à oxidação e ao desgaste, capaz de suportar ambientes acima de 2.000°C. Amplamente utilizado na indústria aeroespacial para componentes de temperatura ultra-alta, bem como no crescimento de cristal único de semicondutores de terceira geração e outros campos.

Além do tubo de grafite revestido com TaC, a VeTek Semiconductor também fornece anéis revestidos com TaC, cadinho revestido com TaC, grafite porosa revestida com TaC, susceptor de grafite revestido com TaC, anel guia revestido com TaC, placa revestida com carboneto de tântalo TaC, anel de revestimento TaC, tampa de grafite com revestimento TaC, revestido com TaC pedaço para forno de crescimento de cristal como abaixo:



Método PVT SiC Crystal Growth


Parâmetro do produto do anel guia revestido com TaC

Propriedades físicas do revestimento TaC
Densidade 14,3 (g/cm³)
Emissividade específica 0.3
Coeficiente de expansão térmica 6,3 10-6/K
Dureza (HK) 2.000 Hong Kong
Resistência 1×10-5 Ohm*cm
Estabilidade térmica <2500℃
Mudanças no tamanho do grafite -10~-20um
Espessura do revestimento ≥20um valor típico (35um±10um)


Oficina de produção de semicondutores VeTek


Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores:


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