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Tubo revestido de carboneto de tântalo para crescimento de cristais
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Tubo revestido de carboneto de tântalo para crescimento de cristais

VeTek Semiconductor é um fabricante líder de tubo revestido de carboneto de tântalo para crescimento de cristal na China. Somos especializados em revestimento cerâmico há muitos anos. na China.

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Descrição do produto

Você pode ter a certeza de comprar tubo revestido de carboneto de tântalo personalizado para crescimento de cristal da VeTek Semiconductor. Estamos ansiosos para cooperar com você, se quiser saber mais, pode nos consultar agora, responderemos a tempo!

A VeTek Semiconductor oferece tubo revestido de carboneto de tântalo para crescimento de cristais projetado especificamente para crescimento de cristais de SiC usando o método de transporte físico de vapor (PVT). Os tubos de grafite da VeTek Semiconductor apresentam alta pureza com revestimento de carboneto de tântalo CVD, garantindo desempenho ideal no crescimento de cristais de SiC. Os cristais de SiC, conhecidos como semicondutores de terceira geração, possuem imenso potencial em diversas aplicações. Ao utilizar nosso tubo revestido de carboneto de tântalo para crescimento de cristais, pesquisadores e profissionais da indústria podem efetivamente otimizar o crescimento de SiC e produzir boules de cristal de SiC de alta qualidade. Esteja você envolvido em pesquisa ou produção industrial, nossos produtos fornecem soluções confiáveis ​​para o crescimento eficiente de cristais de SiC.

Além do tubo de grafite revestido com TaC, a VeTek Semiconductor também fornece anéis revestidos com TaC, cadinho revestido com TaC, grafite porosa revestida com TaC, susceptor de grafite revestido com TaC, anel guia revestido com TaC, placa revestida com carboneto de tântalo TaC, anel de revestimento TaC, tampa de grafite com revestimento TaC, revestido com TaC pedaço para forno de crescimento de cristal como abaixo:



Método PVT SiC Crystal Growth


Parâmetro do produto do tubo revestido de carboneto de tântalo para crescimento de cristais

Propriedades físicas do revestimento TaC
Densidade 14,3 (g/cm³)
Emissividade específica 0.3
Coeficiente de expansão térmica 6,3 10-6/K
Dureza (HK) 2.000 Hong Kong
Resistência 1×10-5 Ohm*cm
Estabilidade térmica <2500℃
Mudanças no tamanho do grafite -10~-20um
Espessura do revestimento ≥20um valor típico (35um±10um)


Desempenho do wafer após usar nossos componentes:


Oficina de produção de semicondutores VeTek


Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores:


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