Pedestal revestido de SiC

A Vetek Semiconductor é profissional na fabricação de revestimento CVD SiC, revestimento TaC em grafite e material de carboneto de silício. Fornecemos produtos OEM e ODM como pedestal revestido de SiC, transportador de wafer, mandril de wafer, bandeja de transportador de wafer, disco planetário e assim por diante. Com sala limpa de grau 1000 e dispositivo de purificação, podemos fornecer produtos com impureza abaixo de 5 ppm. de você em breve.

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Descrição do produto

Com anos de experiência na produção de peças de grafite revestidas com SiC, a Vetek Semiconductor pode fornecer uma ampla variedade de pedestais revestidos com SiC. O pedestal revestido de SiC de alta qualidade pode atender a muitas aplicações. Se você precisar, obtenha nosso serviço on-line oportuno sobre o pedestal revestido de SiC. Além da lista de produtos abaixo, você também pode personalizar seu próprio pedestal revestido de SiC exclusivo de acordo com suas necessidades específicas.

Comparado com outros métodos, como MBE, LPE, PLD, o método MOCVD tem as vantagens de maior eficiência de crescimento, melhor precisão de controle e custo relativamente baixo, e é amplamente utilizado na indústria atual. Com a crescente demanda por materiais epitaxiais semicondutores, especialmente para uma ampla gama de materiais epitaxiais optoeletrônicos, como LD e LED, é muito importante adotar novos projetos de equipamentos para aumentar ainda mais a capacidade de produção e reduzir custos.

Dentre eles, a bandeja de grafite carregada com substrato utilizada no crescimento epitaxial do MOCVD é uma parte muito importante do equipamento MOCVD. A bandeja de grafite utilizada no crescimento epitaxial de nitretos do grupo III, a fim de evitar a corrosão de amônia, hidrogênio e outros gases na grafite, geralmente na superfície da bandeja de grafite será revestida com uma camada protetora fina e uniforme de carboneto de silício. No crescimento epitaxial do material, a uniformidade, consistência e condutividade térmica da camada protetora de carboneto de silício são muito altas, e existem certos requisitos para sua vida útil. O pedestal revestido de SiC da Vetek Semiconductor reduz o custo de produção de paletes de grafite e melhora sua vida útil, o que tem um grande papel na redução do custo do equipamento MOCVD.

O pedestal revestido de SiC também é uma parte importante da câmara de reação MOCVD, o que melhora efetivamente a eficiência da produção.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade	Valor típico
Estrutura Cristalina	FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimação	2700°C
Resistência Flexural	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica	300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1