Reator LPE Halfmoon SiC EPI

VeTek Semiconductor é um fabricante profissional de produtos LPE Halfmoon SiC EPI Reactor, inovador e líder na China. O reator LPE Halfmoon SiC EPI é um dispositivo projetado especificamente para a produção de camadas epitaxiais de carboneto de silício (SiC) de alta qualidade, usadas principalmente na indústria de semicondutores. A VeTek Semiconductor está comprometida em fornecer tecnologia de ponta e soluções de produtos para a indústria de semicondutores e agradece suas dúvidas.

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Descrição do produto

Reator LPE Halfmoon SiC EPIé um dispositivo projetado especificamente para produzir produtos de alta qualidadecarboneto de silício (SiC) epitaxialcamadas, onde o processo epitaxial ocorre na câmara de reação em meia-lua do LPE, onde o substrato é exposto a condições extremas como alta temperatura e gases corrosivos. Para garantir a vida útil e o desempenho dos componentes da câmara de reação, a deposição química de vapor (CVD)Revestimento de SiCgeralmente é usado. Seu design e função permitem fornecer crescimento epitaxial estável de cristais de SiC sob condições extremas.

Reator LPE Halfmoon SiC EPIComponentes:

Câmara de reação principal: A câmara de reação principal é feita de materiais resistentes a altas temperaturas, como carboneto de silício (SiC) egrafite, que possuem resistência à corrosão química extremamente alta e resistência a altas temperaturas. A temperatura operacional é geralmente entre 1.400°C e 1.600°C, o que pode suportar o crescimento de cristais de carboneto de silício sob condições de alta temperatura. A pressão operacional da câmara de reação principal está entre 10^-3e 10^-1mbar, e a uniformidade do crescimento epitaxial pode ser controlada ajustando a pressão.

Componentes de aquecimento: Geralmente são usados aquecedores de grafite ou carboneto de silício (SiC), que podem fornecer uma fonte de calor estável sob condições de alta temperatura.

A principal função do reator LPE Halfmoon SiC EPI é cultivar filmes de carboneto de silício de alta qualidade epitaxialmente. Especificamente,se manifesta nos seguintes aspectos:

Crescimento da camada epitaxial: Através do processo de epitaxia em fase líquida, camadas epitaxiais com defeitos extremamente baixos podem ser cultivadas em substratos de SiC, com uma taxa de crescimento de cerca de 1–10μm/h, o que pode garantir qualidade de cristal extremamente alta. Ao mesmo tempo, a taxa de fluxo de gás na câmara de reação principal é geralmente controlada em 10–100 sccm (centímetros cúbicos padrão por minuto) para garantir a uniformidade da camada epitaxial.

Estabilidade em altas temperaturas: As camadas epitaxiais de SiC ainda podem manter excelente desempenho em ambientes de alta temperatura, alta pressão e alta frequência.

Reduza a densidade de defeitos: O design estrutural exclusivo do reator LPE Halfmoon SiC EPI pode efetivamente reduzir a geração de defeitos de cristal durante o processo de epitaxia, melhorando assim o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.

A VeTek Semiconductor está comprometida em fornecer tecnologia avançada e soluções de produtos para a indústria de semicondutores. Ao mesmo tempo, apoiamos serviços de produtos personalizados.Esperamos sinceramente nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.

SEM DADOS DA ESTRUTURA DE CRISTAL DO FILME CVD SIC:

SEM DATA OF CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC：

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade	Valor típico
Estrutura Cristalina	FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura de sublimação	2700°C
Resistência Flexural	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica	300W·m^-1·K^-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10^-6K^-1