Quanto você sabe sobre CVD SiC?

SiC CVD(Carbeto de Silício por Deposição de Vapor Químico) é um material de carboneto de silício de alta pureza fabricado por deposição de vapor químico. É usado principalmente para vários componentes e revestimentos em equipamentos de processamento de semicondutores.Material SiC CVDpossui excelente estabilidade térmica, alta dureza, baixo coeficiente de expansão térmica e excelente resistência à corrosão química, tornando-o um material ideal para uso em condições extremas de processo.

O material CVD SiC é amplamente utilizado em componentes que envolvem alta temperatura, ambiente altamente corrosivo e alto estresse mecânico no processo de fabricação de semicondutores,incluindo principalmente os seguintes produtos:

Revestimento SiC CVD:

É usado como camada protetora para equipamentos de processamento de semicondutores para evitar que o substrato seja danificado por altas temperaturas, corrosão química e desgaste mecânico.

Barco de wafer SiC:

É usado para transportar e transportar wafers em processos de alta temperatura (como difusão e crescimento epitaxial) para garantir a estabilidade dos wafers e a uniformidade dos processos.

Tubo de processo SiC:

Os tubos de processo de SiC são usados ​​principalmente em fornos de difusão e fornos de oxidação para fornecer um ambiente de reação controlado para wafers de silício, garantindo a deposição precisa do material e a distribuição uniforme da dopagem.

Remo Cantilever SiC:

O SiC Cantilever Paddle é usado principalmente para transportar ou apoiar wafers de silício em fornos de difusão e fornos de oxidação, desempenhando um papel de rolamento. Especialmente em processos de alta temperatura, como difusão, oxidação, recozimento, etc., garante a estabilidade e o tratamento uniforme das pastilhas de silício em ambientes extremos.

Cabeça de chuveiro SiC CVD:

É utilizado como componente de distribuição de gás em equipamentos de gravação a plasma, com excelente resistência à corrosão e estabilidade térmica para garantir distribuição uniforme de gás e efeito de gravação.

Teto revestido de SiC:

Componentes da câmara de reação do equipamento, utilizados para proteger o equipamento contra danos por altas temperaturas e gases corrosivos, além de prolongar a vida útil do equipamento.

Susceptores de Epitaxia de Silício:

Portadores de wafer usados ​​em processos de crescimento epitaxial de silício para garantir aquecimento uniforme e qualidade de deposição de wafers.

O carboneto de silício depositado por vapor químico (CVD SiC) tem uma ampla gama de aplicações no processamento de semicondutores, usado principalmente para fabricar dispositivos e componentes resistentes a altas temperaturas, corrosão e alta dureza.Seu papel central se reflete nos seguintes aspectos:

Revestimentos protetores em ambientes de alta temperatura:

Função: CVD SiC é frequentemente usado para revestimentos de superfície de componentes-chave em equipamentos semicondutores (como suceptores, revestimentos de câmaras de reação, etc.). Esses componentes precisam funcionar em ambientes de alta temperatura, e os revestimentos CVD SiC podem fornecer excelente estabilidade térmica para proteger o substrato contra danos causados ​​por altas temperaturas.

Vantagens: O alto ponto de fusão e a excelente condutividade térmica do SiC CVD garantem que os componentes possam funcionar de forma estável por um longo tempo sob condições de alta temperatura, prolongando a vida útil do equipamento.

Aplicações anticorrosivas:

Função: No processo de fabricação de semicondutores, o revestimento CVD SiC pode resistir efetivamente à erosão de gases e produtos químicos corrosivos e proteger a integridade de equipamentos e dispositivos. Isto é especialmente importante para lidar com gases altamente corrosivos, como fluoretos e cloretos.

Vantagens: Ao depositar o revestimento CVD SiC na superfície do componente, os danos ao equipamento e os custos de manutenção causados ​​pela corrosão podem ser bastante reduzidos e a eficiência da produção pode ser melhorada.

Aplicações de alta resistência e resistentes ao desgaste:

Função: O material CVD SiC é conhecido por sua alta dureza e alta resistência mecânica. É amplamente utilizado em componentes semicondutores que exigem resistência ao desgaste e alta precisão, como selos mecânicos, componentes de suporte de carga, etc. Esses componentes estão sujeitos a fortes tensões mecânicas e fricção durante a operação. CVD SiC pode resistir eficazmente a essas tensões e garantir a longa vida útil e o desempenho estável do dispositivo.

Vantagens: Os componentes feitos de SiC CVD podem não apenas suportar tensões mecânicas em ambientes extremos, mas também manter sua estabilidade dimensional e acabamento superficial após uso prolongado.

Ao mesmo tempo, o CVD SiC desempenha um papel vital naCrescimento epitaxial LED, semicondutores de potência e outros campos. No processo de fabricação de semicondutores, os substratos CVD SiC são geralmente usados ​​comoSUCEPTORES DE EPI. Sua excelente condutividade térmica e estabilidade química fazem com que as camadas epitaxiais cultivadas tenham maior qualidade e consistência. Além disso, CVD SiC também é amplamente utilizado emPortadores de gravação PSS, Portadores de wafer RTP, Portadores de gravação ICP, etc., fornecendo suporte estável e confiável durante a gravação de semicondutores para garantir o desempenho do dispositivo.

VeTek semiconductor Technology Co., LTD é fornecedora líder de materiais de revestimento avançados para a indústria de semicondutores. Nossa empresa se concentra no desenvolvimento de soluções de ponta para a indústria.

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