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Bandeja epitaxial de silício monocristalino com revestimento SiC
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Bandeja epitaxial de silício monocristalino com revestimento SiC

A bandeja epitaxial de silício monocristalino com revestimento SiC é um acessório importante para o forno de crescimento epitaxial de silício monocristalino, garantindo poluição mínima e ambiente de crescimento epitaxial estável. A bandeja epitaxial de silício monocristalino com revestimento SiC da VeTek Semiconductor tem uma vida útil ultralonga e oferece uma variedade de opções de personalização. A VeTek Semiconductor espera se tornar seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

A bandeja epitaxial de silício monocristalino com revestimento SiC da VeTek semiconductor é especialmente projetada para crescimento epitaxial de silício monocristalino e desempenha um papel importante na aplicação industrial de epitaxia de silício monocristalino e dispositivos semicondutores relacionados.Revestimento de SiCnão apenas melhora significativamente a resistência à temperatura e à corrosão da bandeja, mas também garante estabilidade a longo prazo e excelente desempenho em ambientes extremos.


Vantagens do revestimento SiC


SiC coating Monocrystalline silicon epitaxial tray working diagram

●  Alta condutividade térmica: O revestimento SiC melhora muito a capacidade de gerenciamento térmico da bandeja e pode dispersar com eficácia o calor gerado por dispositivos de alta potência.


●  Resistência à corrosão: O revestimento SiC funciona bem em ambientes corrosivos e de alta temperatura, garantindo vida útil e confiabilidade de longo prazo.


●  Uniformidade da superfície: Proporciona uma superfície plana e lisa, evitando efetivamente erros de fabricação causados ​​por irregularidades superficiais e garantindo a estabilidade do crescimento epitaxial.


De acordo com a pesquisa, quando o tamanho dos poros do substrato de grafite está entre 100 e 500 nm, um revestimento gradiente de SiC pode ser preparado no substrato de grafite, e o revestimento de SiC tem uma capacidade antioxidante mais forte. a resistência à oxidação do revestimento de SiC nesta grafite (curva triangular) é muito mais forte do que a de outras especificações de grafite, adequada para o crescimento de epitaxia de silício de cristal único. A bandeja epitaxial de silício monocristalino com revestimento SiC da VeTek Semiconductor usa grafite SGL comosubstrato de grafite, que é capaz de atingir tal desempenho.


A bandeja epitaxial de silício monocristalino com revestimento SiC da VeTek Semiconductor usa os melhores materiais e a mais avançada tecnologia de processamento. Mais importante ainda, não importa quais sejam as necessidades de personalização do produto que os clientes tenham, podemos fazer o nosso melhor para atendê-las.


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade
Valor típico
Estrutura Cristalina
FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade
3,21g/cm³
Dureza
Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Grão Size
2~10μm
Pureza Química
99,99995%
Capacidade de calor
640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimação 2700°C
Resistência à Flexão
415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young
Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica
300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE)
4,5×10-6K-1

Oficinas de produção de semicondutores VeTek


Graphite epitaxial substrateSemiconductor heating furnace equipmentGraphite ring assemblySemiconductor process equipment

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