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China Carboneto de Silício Sólido Fabricante, fornecedor, fábrica


VeTek Semiconductor Solid Silicon Carbide é um importante componente cerâmico em equipamentos de gravação de plasma, carboneto de silício sólido(Carboneto de silício CVD) as peças do equipamento de gravação incluemanéis de focagem, chuveiro a gás, bandeja, anéis de borda, etc. Devido à baixa reatividade e condutividade do carboneto de silício sólido (carboneto de silício CVD) para gases de gravação contendo cloro e flúor, é um material ideal para anéis de foco de equipamentos de gravação de plasma e outros componentes.


Por exemplo, o anel de foco é uma parte importante colocada fora do wafer e em contato direto com o wafer, aplicando uma voltagem ao anel para focar o plasma que passa através do anel, focando assim o plasma no wafer para melhorar a uniformidade de processamento. O anel de foco tradicional é feito de silício ouquartzo, o silício condutor como um material de anel de foco comum, está quase próximo da condutividade das pastilhas de silício, mas a escassez é a baixa resistência à gravação em plasma contendo flúor, materiais de peças de máquinas de gravação frequentemente usados ​​​​por um período de tempo, haverá sérios fenômeno de corrosão, reduzindo seriamente sua eficiência de produção.


Sanel de foco olid SiCPrincípio de funcionamento

Working Principle of Solid SiC Focus Ring


Comparação do anel de foco baseado em Si e do anel de foco CVD SiC:

Comparação do anel de focagem baseado em Si e do anel de focagem SiC CVD
Item E EC CVD
Densidade (g/cm3) 2.33 3.21
Gap de banda (eV) 1.12 2.3
Condutividade térmica (W/cm℃) 1.5 5
CTE (x10-6/℃) 2.6 4
Módulo elástico (GPa) 150 440
Dureza (GPa) 11.4 24.5
Resistência ao desgaste e à corrosão Pobre Excelente


A VeTek Semiconductor oferece peças avançadas de carboneto de silício sólido (carboneto de silício CVD), como anéis de foco de SiC para equipamentos semicondutores. Nossos anéis de focagem de carboneto de silício sólido superam o silício tradicional em termos de resistência mecânica, resistência química, condutividade térmica, durabilidade em altas temperaturas e resistência à corrosão iônica.


As principais características dos nossos anéis de focagem SiC incluem:

Alta densidade para taxas de gravação reduzidas.

Excelente isolamento com alto bandgap.

Alta condutividade térmica e baixo coeficiente de expansão térmica.

Resistência superior ao impacto mecânico e elasticidade.

Alta dureza, resistência ao desgaste e resistência à corrosão.

Fabricado usandodeposição química de vapor aprimorada por plasma (PECVD)técnicas, nossos anéis de focagem de SiC atendem às crescentes demandas dos processos de gravação na fabricação de semicondutores. Eles são projetados para suportar maior potência e energia do plasma, especificamente emplasma capacitivamente acoplado (CCP)sistemas.

Os anéis de foco SiC da VeTek Semiconductor oferecem desempenho e confiabilidade excepcionais na fabricação de dispositivos semicondutores. Escolha nossos componentes SiC para qualidade e eficiência superiores.


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