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Transportador de wafer de revestimento CVD TaC
  • Transportador de wafer de revestimento CVD TaCTransportador de wafer de revestimento CVD TaC

Transportador de wafer de revestimento CVD TaC

Como fabricante e fábrica profissional de produto transportador de wafer de revestimento CVD TaC na China, o transportador de wafer de revestimento CVD TaC VeTek Semiconductor é uma ferramenta de transporte de wafer especialmente projetada para ambientes corrosivos e de alta temperatura na fabricação de semicondutores. Este produto possui alta resistência mecânica, excelente resistência à corrosão e estabilidade térmica, proporcionando a garantia necessária para a fabricação de dispositivos semicondutores de alta qualidade. Suas perguntas adicionais são bem-vindas.

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Descrição do produto

Durante o processo de fabricação de semicondutores, a VeTek SemiconductorTransportador de wafer de revestimento CVD TaCé uma bandeja usada para transportar wafers. Este produto utiliza um processo de deposição química de vapor (CVD) para revestir uma camada de revestimento TaC na superfície doSubstrato transportador de wafer. Este revestimento pode melhorar significativamente a resistência à oxidação e à corrosão do suporte do wafer, ao mesmo tempo que reduz a contaminação por partículas durante o processamento. É um componente importante no processamento de semicondutores.


VeTek SemicondutoresTransportador de wafer de revestimento CVD TaCé composto por um substrato e umrevestimento de carboneto de tântalo (TaC).

A espessura dos revestimentos de carboneto de tântalo está normalmente na faixa de 30 mícrons, e o TaC tem um ponto de fusão tão alto quanto 3.880°C, proporcionando excelente resistência à corrosão e ao desgaste, entre outras propriedades.

O material base do Carrier é feito de grafite de alta pureza oucarboneto de silício (SiC), e então uma camada de TaC (dureza Knoop de até 2.000HK) é revestida na superfície por meio de um processo CVD para melhorar sua resistência à corrosão e resistência mecânica.


Transportador de wafer de revestimento CVD TaC da VeTek Semiconductor normalmentedesempenha as seguintes funções durante o processo de transporte do wafer:


Carregamento e fixação de wafer: A dureza Knoop do carboneto de tântalo é tão alta quanto 2.000HK, o que pode efetivamente garantir o suporte estável do wafer na câmara de reação. Combinado com a boa condutividade térmica do TaC (a condutividade térmica é de cerca de 21 W/mK), pode fazer com que a superfície do wafer seja aquecida uniformemente e mantenha uma distribuição uniforme de temperatura, o que ajuda a alcançar o crescimento uniforme da camada epitaxial.

Reduza a contaminação por partículas: A superfície lisa e a alta dureza dos revestimentos CVD TaC ajudam a reduzir o atrito entre o transportador e o wafer, reduzindo assim o risco de contaminação por partículas, o que é fundamental para a fabricação de dispositivos semicondutores de alta qualidade.

Estabilidade em altas temperaturas: Durante o processamento de semicondutores, as temperaturas operacionais reais ficam normalmente entre 1.200°C e 1.600°C, e os revestimentos TaC têm um ponto de fusão de até 3.880°C. Combinado com seu baixo coeficiente de expansão térmica (o coeficiente de expansão térmica é de aproximadamente 6,3 × 10⁻⁶/°C), o transportador pode manter sua resistência mecânica e estabilidade dimensional sob condições de alta temperatura, evitando que o wafer rache ou deforme por tensão durante o processamento.


Revestimento de carboneto de tântalo (TaC) em uma seção transversal microscópica:


Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4



Propriedades físicas básicas do revestimento CVD TaC


Propriedades físicas do revestimento TaC
Densidade
14,3 (g/cm³)
Emissividade específica
0.3
Coeficiente de expansão térmica
6,3*10-6/K
Dureza (HK)
2.000 Hong Kong
Resistência
1×10-5 Ohm*cm
Estabilidade térmica
<2500℃
Mudanças no tamanho do grafite
-10~-20um
Espessura do revestimento
≥20um valor típico (35um±10um)


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