GaN no aceitador SiC epi

Como profissionalfabricante de semicondutoresna China,Semicondutor VeTek GaN no aceitador SiC epié um componente chave no processo de preparação deGaN em SiCdispositivos, e seu desempenho afeta diretamente a qualidade da camada epitaxial. Com a ampla aplicação de GaN em dispositivos SiC em eletrônica de potência, dispositivos de RF e outros campos, os requisitos paraReceptor SiC epise tornará cada vez mais alto. A VeTek Semiconductor se concentra em fornecer o que há de mais moderno em tecnologia e soluções de produtos para a indústria de semicondutores e agradece sua consulta.

Geralmente, o papel doGaN no aceitador SiC epino processamento de semicondutores é o seguinte:

Capacidade de processamento em alta temperatura: GaN no susceptor epi SiC (GaN baseado em disco de crescimento epitaxial de carboneto de silício) é usado principalmente no processo de crescimento epitaxial de nitreto de gálio (GaN), especialmente em ambientes de alta temperatura. Este disco de crescimento epitaxial pode suportar temperaturas de processamento extremamente altas, geralmente entre 1.000°C e 1.500°C, tornando-o adequado para o crescimento epitaxial de materiais GaN e para o processamento de substratos de carboneto de silício (SiC).

Excelente condutividade térmica: O susceptor SiC epi precisa ter boa condutividade térmica para transferir uniformemente o calor gerado pela fonte de aquecimento para o substrato de SiC para garantir uniformidade de temperatura durante o processo de crescimento. O carboneto de silício tem condutividade térmica extremamente alta (cerca de 120-150 W/mK), e GaN no susceptor epi SiC pode conduzir calor de forma mais eficaz do que materiais tradicionais, como o silício. Esta característica é crucial no processo de crescimento epitaxial do nitreto de gálio porque ajuda a manter a uniformidade da temperatura do substrato, melhorando assim a qualidade e a consistência do filme.

Prevenir a poluição: Os materiais e o processo de tratamento de superfície do GaN no susceptor SiC epi devem ser capazes de prevenir a poluição do ambiente de crescimento e evitar a introdução de impurezas na camada epitaxial.

Como fabricante profissional deGaN no aceitador SiC epi, Grafite PorosaePlaca de revestimento TaCna China, a VeTek Semiconductor sempre insiste em fornecer serviços de produtos personalizados e está comprometida em fornecer à indústria tecnologia de ponta e soluções de produtos. Esperamos sinceramente sua consulta e cooperação.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

GaN em lojas de produção de susceptores epi SiC:

Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores：