GaN no aceitador SiC epi

VeTek Semiconductor é um fabricante profissional de susceptor GaN em SiC epi, revestimento CVD SiC e susceptor de grafite CVD TAC COATING na China. Entre eles, o susceptor GaN no SiC epi desempenha um papel vital no processamento de semicondutores. Através de sua excelente condutividade térmica, capacidade de processamento em alta temperatura e estabilidade química, garante a alta eficiência e qualidade do material do processo de crescimento epitaxial de GaN. Esperamos sinceramente sua nova consulta.

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Descrição do produto

Como profissionalfabricante de semicondutoresna China,Semicondutor VeTek GaN no aceitador SiC epié um componente chave no processo de preparação deGaN em SiCdispositivos, e seu desempenho afeta diretamente a qualidade da camada epitaxial. Com a ampla aplicação de GaN em dispositivos SiC em eletrônica de potência, dispositivos de RF e outros campos, os requisitos paraReceptor SiC epise tornará cada vez mais alto. A VeTek Semiconductor se concentra em fornecer o que há de mais moderno em tecnologia e soluções de produtos para a indústria de semicondutores e agradece sua consulta.

Geralmente, os papéis do GaN no susceptor SiC epi no processamento de semicondutores são os seguintes:

Illustration of epitaxial structures of GaN on SiC

● Capacidade de processamento em alta temperatura: GaN no susceptor epi SiC (GaN baseado em disco de crescimento epitaxial de carboneto de silício) é usado principalmente no processo de crescimento epitaxial de nitreto de gálio (GaN), especialmente em ambientes de alta temperatura. Este disco de crescimento epitaxial pode suportar temperaturas de processamento extremamente altas, geralmente entre 1.000°C e 1.500°C, tornando-o adequado para o crescimento epitaxial de materiais GaN e para o processamento de substratos de carboneto de silício (SiC).

● Excelente condutividade térmica: O susceptor SiC epi precisa ter boa condutividade térmica para transferir uniformemente o calor gerado pela fonte de aquecimento para o substrato de SiC para garantir uniformidade de temperatura durante o processo de crescimento. O carboneto de silício tem condutividade térmica extremamente alta (cerca de 120-150 W/mK), e o GaN no susceptor SiC Epitaxy pode conduzir o calor de forma mais eficaz do que materiais tradicionais, como o silício. Esta característica é crucial no processo de crescimento epitaxial do nitreto de gálio porque ajuda a manter a uniformidade da temperatura do substrato, melhorando assim a qualidade e a consistência do filme.

● Evitar a poluição: Os materiais e o processo de tratamento de superfície do susceptor GaN no SiC Epi devem ser capazes de prevenir a poluição do ambiente de crescimento e evitar a introdução de impurezas na camada epitaxial.

Como fabricante profissional deGaN no aceitador SiC epi, Grafite PorosaePlaca de revestimento TaCna China, a VeTek Semiconductor sempre insiste em fornecer serviços de produtos personalizados e está comprometida em fornecer à indústria tecnologia de ponta e soluções de produtos. Esperamos sinceramente sua consulta e cooperação.

ESTRUTURA DE CRISTAL DO FILME DE REVESTIMENTO CVD SIC

CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade de revestimento	Valor típico
Estrutura Cristalina	FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade do revestimento CVD SiC	3,21g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura de sublimação	2700°C
Resistência à Flexão	415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young	Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica	300W·m^-1·K^-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10^-6K^-1