O SiC Cantilever Paddle da VeTek Semiconductor é um produto de altíssimo desempenho. Nossa pá cantilever SiC é normalmente usada em fornos de tratamento térmico para manuseio e suporte de wafers de silício, deposição química de vapor (CVD) e outros processos de processamento em processos de fabricação de semicondutores. A estabilidade em altas temperaturas e a alta condutividade térmica do material SiC garantem alta eficiência e confiabilidade no processo de processamento de semicondutores. Estamos comprometidos em fornecer produtos de alta qualidade a preços competitivos e esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.
Você é bem-vindo em nossa fábrica Vetek Semiconductor para comprar o que há de mais recente em vendas, preço baixo e alta qualidade. Estamos ansiosos para colaborar com você.
Estabilidade em altas temperaturas: Capaz de manter sua forma e estrutura em altas temperaturas, adequada para processos de processamento em altas temperaturas.
Resistência à corrosão: Excelente resistência à corrosão a uma variedade de produtos químicos e gases.
Alta resistência e rigidez: Fornece suporte confiável para evitar deformações e danos.
Alta precisão: Alta precisão de processamento garante operação estável em equipamentos automatizados.
Baixa contaminação: O material SiC de alta pureza reduz o risco de contaminação, o que é especialmente importante para ambientes de fabricação ultralimpos.
Altas propriedades mecânicas: Capaz de suportar ambientes de trabalho severos com altas temperaturas e altas pressões.
Aplicações específicas do SiC Cantilever Paddle e seu princípio de aplicação
Manuseio de wafer de silício na fabricação de semicondutores:
SiC Cantilever Paddle é usado principalmente para manusear e suportar wafers de silício durante a fabricação de semicondutores. Esses processos geralmente incluem limpeza, ataque químico, revestimento e tratamento térmico. Princípio de aplicação:
Manuseio de wafer de silício: O SiC Cantilever Paddle foi projetado para fixar e mover wafers de silício com segurança. Durante processos de tratamento químico e de alta temperatura, a alta dureza e resistência do material SiC garantem que a pastilha de silício não seja danificada ou deformada.
Processo de Deposição Química de Vapor (CVD):
No processo CVD, o SiC Cantilever Paddle é usado para transportar pastilhas de silício para que filmes finos possam ser depositados em suas superfícies. Princípio de aplicação:
No processo CVD, o SiC Cantilever Paddle é usado para fixar o wafer de silício na câmara de reação, e o precursor gasoso se decompõe em alta temperatura e forma uma película fina na superfície do wafer de silício. A resistência à corrosão química do material SiC garante uma operação estável sob alta temperatura e ambiente químico.
Propriedades físicas do carboneto de silício recristalizado | |
Propriedade | Valor típico |
Temperatura de trabalho (°C) | 1600°C (com oxigênio), 1700°C (redução do ambiente) |
Conteúdo SiC | > 99,96% |
Conteúdo Si grátis | <0,1% |
Densidade aparente | 2,60-2,70g/cm3 |
Porosidade aparente | <16% |
Força de compressão | > 600MPa |
Resistência à flexão a frio | 80-90MPa (20°C) |
Resistência à flexão a quente | 90-100MPa (1400°C) |
Expansão térmica @1500°C | 4,70 10-6/°C |
Condutividade térmica @1200°C | 23 W/m·K |
Módulo elástico | 240 GPa |
Resistência ao choque térmico | Extremamente bom |