Pá cantilever de carboneto de silício

A pá cantilever de carboneto de silício da VeTek Semiconductor é um componente importante no processo de fabricação de semicondutores, especialmente adequado para fornos de difusão ou fornos LPCVD em processos de alta temperatura, como difusão e RTP. Nossa pá cantilever de carboneto de silício é cuidadosamente projetada e fabricada com excelente resistência a altas temperaturas e resistência mecânica, e pode transportar wafers de forma segura e confiável para o tubo de processo sob condições adversas de processo para vários processos de alta temperatura, como difusão e RTP. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

Você pode ter a certeza de comprar um remo cantilever de carboneto de silício personalizado da VeTek Semiconducto. Estamos ansiosos para cooperar com você, se quiser saber mais, pode nos consultar agora, responderemos a tempo!

A pá cantilever de carboneto de silício da VeTek Semiconductor é feita de carboneto de silício de alta pureza e possui excelente resistência a altas temperaturas e resistência mecânica. É um componente-chave indispensável no processo de fabricação de semicondutores, especialmente em fornos de difusão ou LPCVD e processos RTP. O design e a fabricação precisos da pá cantilever de carboneto de silício garantem o posicionamento e transferência seguros de wafers para atender aos requisitos de processo de alta precisão.

A pá cantilever de carboneto de silício da VeTek Semiconductor é feita de carboneto de silício como material principal. O carboneto de silício tem características de alta resistência e boa estabilidade térmica, de modo que pode suportar condições adversas no ambiente de processo de alta temperatura de fornos semicondutores. Uma das razões para a escolha do carboneto de silício é porque ele pode se adaptar ao ambiente de alta temperatura em fornos semicondutores.

O design da pá cantilever de carboneto de silício permite que ela se estenda para dentro do tubo de processo no forno e seja firmemente fixada em uma extremidade fora do tubo. Este design garante que o wafer processado permaneça estável e apoiado durante o processo e minimiza a interferência com o ambiente térmico no forno.

A VeTek Semiconductor está comprometida em fornecer produtos de remo cantilever SiC de alta qualidade. Nossos produtos são cuidadosamente projetados e fabricados para atender aos rigorosos requisitos do processo de fabricação de semicondutores. O excelente desempenho e confiabilidade da pá cantilever de carboneto de silício tornam-na um componente-chave indispensável na indústria de semicondutores. A VeTek Semiconductor está comprometida em fornecer produtos de qualidade a preços competitivos e esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.

Parâmetro do produto da pá cantilever de carboneto de silício

Propriedades físicas do carboneto de silício recristalizado
Propriedade	Valor típico
Temperatura de trabalho (°C)	1600°C (com oxigênio), 1700°C (redução do ambiente)
Conteúdo SiC	> 99,96%
Conteúdo Si grátis	<0,1%
Densidade aparente	2,60-2,70g/cm3
Porosidade aparente	<16%
Força de compressão	> 600MPa
Resistência à flexão a frio	80-90MPa (20°C)
Resistência à flexão a quente	90-100MPa (1400°C)
Expansão térmica @1500°C	4.70 10-6/°C
Condutividade térmica @1200°C	23 W/m·K
Módulo elástico	240 GPa
Resistência ao choque térmico	Extremamente bom