Porta-wafers Satélite Aixtron

O Aixtron Satellite Wafer Carrier é parte integrante do equipamento AIXTRON MOCVD, especialmente usado para transportar wafers para crescimento epitaxial. É particularmente adequado paracrescimento epitaxialprocesso de dispositivos GaN e carboneto de silício (SiC). Seu design exclusivo de "satélite" não apenas garante a uniformidade do fluxo de gás, mas também melhora a uniformidade da deposição do filme na superfície do wafer.

Aixtrontransportadores de wafergeralmente são feitos decarboneto de silício (SiC)ou grafite revestido com CVD. Entre eles, o carboneto de silício (SiC) possui excelente condutividade térmica, resistência a altas temperaturas e baixo coeficiente de expansão térmica. A grafite revestida com CVD é grafite revestida com uma película de carboneto de silício através de um processo de deposição química de vapor (CVD), que pode aumentar sua resistência à corrosão e resistência mecânica. Os materiais de SiC e grafite revestido podem suportar temperaturas de até 1.400°C a 1.600°C e possuem excelente estabilidade térmica em altas temperaturas, o que é crítico para o processo de crescimento epitaxial.

O Aixtron Satellite Wafer Carrier é usado principalmente para transportar e girar wafers noProcesso MOCVDpara garantir fluxo uniforme de gás e deposição uniforme durante o crescimento epitaxial.As funções específicas são as seguintes:

Rotação de wafer e deposição uniforme: Através da rotação do transportador de satélite Aixtron, o wafer pode manter um movimento estável durante o crescimento epitaxial, permitindo que o gás flua uniformemente sobre a superfície do wafer para garantir a deposição uniforme de materiais.

Rolamento e estabilidade de alta temperatura: Materiais de carboneto de silício ou grafite revestido podem suportar temperaturas de até 1.400°C a 1.600°C. Esse recurso garante que o wafer não se deforme durante o crescimento epitaxial em alta temperatura, ao mesmo tempo que evita que a expansão térmica do próprio transportador afete o processo epitaxial.

Geração reduzida de partículas: Materiais transportadores de alta qualidade (como SiC) têm superfícies lisas que reduzem a geração de partículas durante a deposição de vapor, minimizando assim a possibilidade de contaminação, o que é crítico para a produção de materiais semicondutores de alta pureza e alta qualidade.

O transportador de wafer de satélite Aixtron da VeTek Semiconductor está disponível em tamanhos de wafer de 100 mm, 150 mm, 200 mm e até maiores e pode fornecer serviços de produtos personalizados com base em seus requisitos de equipamento e processo. Esperamos sinceramente ser seu parceiro de longo prazo na China.

SEM DADOS DA ESTRUTURA DE CRISTAL DO FILME CVD SIC：

Transportadora de wafer satélite Aixtron Lojas de produção:

Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores: