Matéria-prima CVD SiC de alta pureza

A matéria-prima CVD SiC de alta pureza preparada pela CVD é a melhor fonte de material para o crescimento de cristais de carboneto de silício por transporte físico de vapor. A densidade da matéria-prima CVD SiC de alta pureza fornecida pela VeTek Semiconductor é maior do que a de pequenas partículas formadas pela combustão espontânea de gases contendo Si e C, e não requer um forno de sinterização dedicado e tem uma taxa de evaporação quase constante. Ele pode cultivar cristais únicos de SiC de altíssima qualidade. Aguardamos sua consulta.

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Descrição do produto

A VeTek Semiconductor desenvolveu um novoMatéria-prima de cristal único SiC- Matéria-prima CVD SiC de alta pureza. Este produto preenche a lacuna nacional e também está no nível de liderança global, e ocupará uma posição de liderança a longo prazo na competição. As matérias-primas tradicionais de carboneto de silício são produzidas pela reação de silício de alta pureza egrafite, que são de alto custo, baixa pureza e pequenos tamanhos.

A tecnologia de leito fluidizado da VeTek Semiconductor usa metiltriclorossilano para gerar matérias-primas de carboneto de silício por meio de deposição química de vapor, e o principal subproduto é o ácido clorídrico. O ácido clorídrico pode formar sais ao neutralizar com álcalis e não causará poluição ao meio ambiente. Ao mesmo tempo, o metiltriclorossilano é um gás industrial amplamente utilizado, de baixo custo e amplas fontes, especialmente a China é o principal produtor de metiltriclorossilano. Portanto, a matéria-prima CVD SiC de alta pureza da VeTek Semiconductor tem competitividade líder internacional em termos de custo e qualidade. A pureza da matéria-prima CVD SiC de alta pureza é superior a99,9995%.

Vantagens da matéria-prima CVD SiC de alta pureza

High purity CVD SiC raw materials

● Tamanho grande e alta densidade

O tamanho médio das partículas é de cerca de 4-10 mm, e o tamanho das partículas das matérias-primas domésticas Acheson é <2,5 mm. O mesmo cadinho de volume pode conter mais de 1,5 kg de matéria-prima, o que contribui para resolver o problema de fornecimento insuficiente de materiais de crescimento de cristais de grande porte, aliviando a grafitização das matérias-primas, reduzindo o envolvimento de carbono e melhorando a qualidade do cristal.

●Baixa relação Si/C

Está mais próximo de 1:1 do que as matérias-primas Acheson do método de autopropagação, o que pode reduzir os defeitos induzidos pelo aumento da pressão parcial do Si.

●Alto valor de saída

As matérias-primas cultivadas ainda mantêm o protótipo, reduzem a recristalização, reduzem a grafitização das matérias-primas, reduzem defeitos de embalagem de carbono e melhoram a qualidade dos cristais.

● Maior pureza

A pureza das matérias-primas produzidas pelo método CVD é superior à das matérias-primas Acheson do método de autopropagação. O teor de nitrogênio atingiu 0,09 ppm sem purificação adicional. Essa matéria-prima também pode desempenhar um papel importante na área de semi-isolantes.

● Menor custo

A taxa de evaporação uniforme facilita o controle de qualidade do processo e do produto, ao mesmo tempo que melhora a taxa de utilização de matérias-primas (taxa de utilização> 50%, 4,5 kg de matéria-prima produzem lingotes de 3,5 kg), reduzindo custos.

●Baixa taxa de erro humano

A deposição química de vapor evita impurezas introduzidas pela operação humana.

A matéria-prima CVD SiC de alta pureza é um produto de nova geração usado para substituirPó de SiC para cultivar monocristais de SiC. A qualidade dos monocristais de SiC cultivados é extremamente alta. Atualmente, a VeTek Semiconductor domina totalmente esta tecnologia. E já consegue fornecer esse produto ao mercado com um preço muito vantajoso.