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China Processo de Epitaxia SiC Fabricante, fornecedor, fábrica

Os revestimentos de metal duro exclusivos da VeTek Semiconductor fornecem proteção superior para peças de grafite no processo SiC Epitaxy para o processamento de materiais semicondutores e semicondutores compostos exigentes. O resultado é uma vida útil prolongada do componente de grafite, preservação da estequiometria da reação, inibição da migração de impurezas para aplicações de epitaxia e crescimento de cristais, resultando em maior rendimento e qualidade.

Nossos revestimentos de carboneto de tântalo (TaC) protegem componentes críticos de fornos e reatores em altas temperaturas (até 2.200°C) contra amônia quente, hidrogênio, vapores de silício e metais fundidos. A VeTek Semiconductor possui uma ampla gama de recursos de processamento e medição de grafite para atender às suas necessidades personalizadas, para que possamos oferecer um revestimento pago ou serviço completo, com nossa equipe de engenheiros especializados prontos para projetar a solução certa para você e sua aplicação específica. .

Cristais semicondutores compostos

A VeTek Semiconductor pode fornecer revestimentos TaC especiais para vários componentes e transportadores. Através do processo de revestimento líder da indústria da VeTek Semiconductor, o revestimento TaC pode obter alta pureza, estabilidade em alta temperatura e alta resistência química, melhorando assim a qualidade do produto das camadas cristal TaC/GaN) e EPl, e estendendo a vida útil dos componentes críticos do reator.

Isoladores térmicos

Componentes de crescimento de cristais SiC, GaN e AlN, incluindo cadinhos, porta-sementes, defletores e filtros. Conjuntos industriais, incluindo elementos de aquecimento resistivos, bicos, anéis de proteção e acessórios de brasagem, componentes de reatores CVD epitaxiais de GaN e SiC, incluindo transportadores de wafer, bandejas de satélite, chuveiros, tampas e pedestais, componentes MOCVD.


Propósito:

Transportador de wafer LED (diodo emissor de luz)

Receptor ALD (semicondutor)

Receptor EPI (Processo Epitaxia SiC)


Comparação de revestimento SiC e revestimento TaC:

SiC TaC
Principais características Pureza ultra alta, excelente resistência ao plasma Excelente estabilidade em altas temperaturas (conformidade do processo em altas temperaturas)
Pureza >99,9999% >99,9999%
Densidade (g/cm3) 3.21 15
Dureza (kg/mm ​​2) 2900-3300 6,7-7,2
Resistividade [Ωcm] 0,1-15.000 <1
Condutividade térmica (W/m-K) 200-360 22
Coeficiente de expansão térmica (10-6/℃) 4,5-5 6.3
Aplicativo Gabarito cerâmico de equipamento semicondutor (anel de foco, cabeça de chuveiro, wafer fictício) Crescimento de cristal único SiC, Epi, peças de equipamentos LED UV


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Anel de três pétalas revestido com TaC

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A VeTek Semiconductor é fornecedora líder de parte superior meia lua revestida com SiC na China, especializada em materiais avançados há mais de 20 anos. VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part revestido com SiC é projetado especificamente para equipamentos epitaxiais de SiC, servindo como um componente crucial na câmara de reação. Feito de grafite ultrapuro de grau semicondutor, garante excelente desempenho. Convidamos você a visitar nossa fábrica na China.

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Transportador de wafer epitaxia de carboneto de silício

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VeTek Semiconductor é um fornecedor líder personalizado de transportador de wafer epitax de carboneto de silício na China. Somos especializados em materiais avançados há mais de 20 anos. Este transportador de wafer epitaxy de carboneto de silício é uma importante parte revestida de SiC da peça meia-lua, resistência a altas temperaturas, resistência à oxidação e resistência ao desgaste. Convidamos você a visitar nossa fábrica na China.

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Como fabricante e fornecedor profissional de Processo de Epitaxia SiC na China, temos nossa própria fábrica. Se você precisa de serviços personalizados para atender às necessidades específicas de sua região ou deseja comprar Processo de Epitaxia SiC avançados e duráveis ​​fabricados na China, deixe-nos uma mensagem.
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