A VeTek semiconductor é fabricante líder de materiais de revestimento de carboneto de tântalo para a indústria de semicondutores. Nossas principais ofertas de produtos incluem peças de revestimento de carboneto de tântalo CVD, peças de revestimento TaC sinterizadas para crescimento de cristal SiC ou processo de epitaxia semicondutor. Aprovado pela ISO9001, a VeTek Semiconductor tem um bom controle de qualidade. A VeTek Semiconductor se dedica a se tornar inovadora na indústria de revestimento de carboneto de tântalo por meio de pesquisa e desenvolvimento contínuos de tecnologias iterativas.
Os principais produtos sãoAnel defeituoso com revestimento de carboneto de tântalo, anel de desvio revestido com TaC, peças em meia-lua revestidas com TaC, disco de rotação planetária revestido com carboneto de tântalo (Aixtron G10), cadinho revestido com TaC; Anéis revestidos com TaC; Grafite Porosa Revestida com TaC; Susceptor de grafite com revestimento de carboneto de tântalo; Anel guia revestido com TaC; Placa revestida de carboneto de tântalo TaC; Susceptor de Wafer Revestido com TaC; Anel de Revestimento TaC; Cobertura de grafite com revestimento TaC; Pedaço revestido com TaCetc., a pureza está abaixo de 5 ppm, pode atender às necessidades do cliente.
O grafite de revestimento TaC é criado revestindo a superfície de um substrato de grafite de alta pureza com uma fina camada de carboneto de tântalo por um processo proprietário de Deposição Química de Vapor (CVD).
O revestimento de carboneto de tântalo (TaC) tem ganhado atenção devido ao seu alto ponto de fusão de até 3880°C, excelente resistência mecânica, dureza e resistência a choques térmicos, tornando-o uma alternativa atraente para compostos de processos de epitaxia de semicondutores com requisitos de temperatura mais elevados, como o sistema Aixtron MOCVD e o processo de epitaxia LPE SiC. Ele também tem uma ampla aplicação no processo de crescimento de cristal SiC do método PVT.
●Estabilidade de temperatura
●Pureza ultra-alta
●Resistência a H2, NH3, SiH4,Si
●Resistência ao estoque térmico
●Forte adesão ao grafite
●Cobertura de revestimento isolante
● Tamanho de até 750 mm de diâmetro (o único fabricante na China atinge esse tamanho)
● Susceptor de aquecimento indutivo
● Elemento de aquecimento resistivo
● Escudo térmico
Propriedades físicas do revestimento TaC | |
Densidade | 14,3 (g/cm³) |
Emissividade específica | 0.3 |
Coeficiente de expansão térmica | 6,3 10-6/K |
Dureza (HK) | 2.000 Hong Kong |
Resistência | 1x10-5Ohm*cm |
Estabilidade térmica | <2500℃ |
Mudanças no tamanho do grafite | -10~-20um |
Espessura do revestimento | ≥20um valor típico (35um±10um) |
Elemento | Porcentagem atômica | |||
Pt. 1 | Pt. 2 | Pt. 3 | Média | |
CK | 52.10 | 57.41 | 52.37 | 53.96 |
Eles | 47.90 | 42.59 | 47.63 | 46.04 |
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